Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024
Про збір коштів
пошук книг
книги
Пожертвування:
19.1% досягнуто
Увійти
Увійти
авторизованим користувачам доступні:
персональні рекомедації
Telegram бот
історія завантажувань
надіслати на Email чи Kindle
управління добірками
зберігання у вибране
Особисте
Запити на книги
Вивчення
Z-Recommend
Перелік книг
Найпопулярніші
Категорії
Участь
Підтримати
Завантаження
Litera Library
Пожертвувати паперові книги
Додати паперові книги
Search paper books
Відкрити LITERA Point
Пошук ключових слів
Main
Пошук ключових слів
search
1
Technology of Gallium Nitride Crystal Growth
Springer-Verlag Berlin Heidelberg
Andrew D. Hanser
,
Keith R. Evans (auth.)
,
Dirk Ehrentraut
,
Elke Meissner
,
Michal Bockowski (eds.)
growth
grown
hvpe
temperature
substrate
crystals
crystal
surface
substrates
phys
bulk
solution
rate
plane
layer
method
density
gaas
nh3
shown
gallium
ammonothermal
appl
positron
dislocation
polar
defects
observed
films
thick
thermal
solubility
cryst
formation
device
nitrogen
electron
sapphire
dislocations
layers
figure
shows
nitride
nonpolar
technology
devices
obtained
reaction
materials
epitaxial
Рік:
2010
Мова:
english
Файл:
PDF, 6.96 MB
Ваші теги:
0
/
0
english, 2010
2
Technology of Gallium Nitride Crystal Growth
Springer-Verlag Berlin Heidelberg
Andrew D. Hanser
,
Keith R. Evans (auth.)
,
Dirk Ehrentraut
,
Elke Meissner
,
Michal Bockowski (eds.)
growth
grown
hvpe
temperature
substrate
crystals
crystal
surface
substrates
phys
bulk
solution
rate
plane
layer
method
density
gaas
nh3
shown
gallium
ammonothermal
appl
positron
dislocation
polar
defects
observed
films
thick
thermal
solubility
cryst
formation
device
nitrogen
electron
sapphire
dislocations
layers
figure
shows
nitride
nonpolar
technology
devices
obtained
reaction
materials
epitaxial
Рік:
2010
Мова:
english
Файл:
PDF, 6.89 MB
Ваші теги:
0
/
0
english, 2010
3
Handbook of thin film deposition: techniques, processes, and technologies
William Andrew
Seshan
,
Krishna
growth
crystal
crystals
temperature
silicon
grown
melt
materials
phys
method
surface
cryst
bulk
dislocation
rate
density
crucible
ga2o3
appl
diameter
layer
substrate
defects
gaas
thermal
figure
oxygen
doped
dislocations
aln
substrates
in2o3
mater
devices
wafer
formation
oxide
plane
doping
sapphire
wafers
solar
optical
shown
gallium
doi.org
electron
sci
semiconductor
methods
Рік:
2012
Мова:
english
Файл:
PDF, 10.83 MB
Ваші теги:
0
/
0
english, 2012
4
Single Crystals of Electronic Materials: Growth and Properties
Woodhead Publishing
Roberto Fornari
growth
crystal
crystals
temperature
silicon
grown
melt
materials
phys
method
surface
cryst
bulk
dislocation
rate
density
crucible
ga2o3
appl
diameter
layer
substrate
defects
gaas
thermal
figure
oxygen
doped
dislocations
aln
substrates
in2o3
mater
devices
wafer
formation
oxide
plane
doping
sapphire
wafers
solar
optical
shown
gallium
doi.org
electron
sci
semiconductor
methods
Рік:
2018
Мова:
english
Файл:
PDF, 46.63 MB
Ваші теги:
0
/
0
english, 2018
1
Перейдіть за
цим посиланням
або знайдіть бот "@BotFather" в Telegram
2
Надішліть команду /newbot
3
Вкажіть ім'я для вашого боту
4
Вкажіть ім'я користувача боту
5
Скопіюйте останнє повідомлення від BotFather та вставте його сюди
×
×